利用 X 射線(xiàn)管發(fā)射的高能 X 射線(xiàn)(如 Mo、Rh 靶材產(chǎn)生的特征 X 射線(xiàn))照射樣品,激發(fā)樣品中原子的內(nèi)層電子使其躍遷,外層電子填補(bǔ)空位時(shí)釋放出具有特定能量的熒光 X 射線(xiàn)(即特征 X 射線(xiàn))。
探測(cè)器(如硅半導(dǎo)體探測(cè)器)收集熒光 X 射線(xiàn)的能量和強(qiáng)度,通過(guò)與標(biāo)準(zhǔn)譜庫(kù)比對(duì),確定元素種類(lèi)(能量特征)及含量(強(qiáng)度與含量正相關(guān))。